Technische Details IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.
Weitere Produktangebote IPA082N10NF2SXKSA1 nach Preis ab 0.84 EUR bis 5.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.45 EUR |
| 13000+ | 1.31 EUR |
| 19500+ | 1.19 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 1.48 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 350+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 7028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 280+ | 1.96 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 3.13 EUR |
| 102+ | 1.67 EUR |
| 194+ | 0.84 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 3.26 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.09 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.27 EUR |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)