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IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Name: IPA086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3114099-5
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Technische Details IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0075 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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IPA086N10N3GXKSA1

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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IPA086N10N3GXKSA1

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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

IPA086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600a1e757edd

Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

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50+	2.38 EUR
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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0001300477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0075 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon

Trans MOSFET N-CH 100V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA086N10N3GXKSA1 TIPA086n10n3g
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IPA086N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IPA086N10N3_G_DS_v02_04_EN-3362077.pdf

MOSFET TRENCH >=100V

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