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IPA093N06N3GXKSA1

IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

infineonipa093n06n3gdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipa093n06n3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipa093n06n3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipa093n06n3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA093N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882bf84115438 Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
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IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002837578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 730 Stücke:
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59+4.25 EUR
92+2.53 EUR
133+1.62 EUR
500+1.3 EUR
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IPA093N06N3GXKSA1 infineonipa093n06n3gdatasheetv0201en.pdf
IPA093N06N3GXKSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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AnzahlPrivatkunde
396+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
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IPA093N06N3GXKSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
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IPA093N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 730 Stücke:
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133+1.62 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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