IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA093N06N3GXKSA1 nach Preis ab 0.7 EUR bis 1.26 EUR
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPA093N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V |
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