IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.40 EUR |
| 50+ | 2.17 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
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Technische Details IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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IPA126N10NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA126N10NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
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| IPA126N10NM3SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors |
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IPA126N10NM3SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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