IPA50R140CP Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.01 EUR |
| 10+ | 7.9 EUR |
| 25+ | 4.61 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
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Technische Details IPA50R140CP Infineon Technologies
Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPA50R140CP nach Preis ab 10.49 EUR bis 10.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| IPA50R140CP | Hersteller : Infineon |
 Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cpAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| IPA50R140CP | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA50R140CP Produktcode: 155814
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| IPA50R140CP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V |
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