IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550 Dauer-Drainstrom Id: 13 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP Kind of package: tube Case: TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
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IPA50R250CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP Kind of package: tube Case: TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
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