Technische Details IPA50R280CE Infineon technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPA50R280CE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R280CE | Infineon |
 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPA50R280CE | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 773 @ 100, Qg, нКл = 32,6 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4,2 A, 13 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 350 мкА, Р, Вт = 30,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 FP Од. вим: Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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IPA50R280CE | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPA50R280CE | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE |
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| IPA50R280CE |
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP Транзистори
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 773 @ 100, Qg, нКл = 32,6 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4,2 A, 13 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 350 мкА, Р, Вт = 30,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 FP Од. вим:
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Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
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Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
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