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IPA50R280CEXKSA2

IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies

27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
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Technische Details IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
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IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 121500 Stücke:
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500+1.2 EUR
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IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.95 EUR
72+1.2 EUR
92+0.93 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
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IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA50R280CE-DS-v02_04-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 723 Stücke:
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2+3.25 EUR
10+1.45 EUR
100+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
132+1.77 EUR
152+1.42 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf
IPA50R280CEXKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
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IPA50R280CEXKSA2
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Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
auf Bestellung 1769 Stücke:
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44+1.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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8+2.98 EUR
50+1.42 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2
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MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 723 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.25 EUR
10+1.45 EUR
100+1.39 EUR
500+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPA50R280CEXKSA2 DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751
IPA50R280CEXKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.9 EUR
132+1.77 EUR
152+1.42 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH