IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.4W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA50R280CEXKSA2 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.73 EUR
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30.4W Drain-source voltage: 500V Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.28Ω Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30.4W Drain-source voltage: 500V Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Kind of package: tube |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 3518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.4W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA50R280CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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