IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 77+ | 0.88 EUR |
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Technische Details IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.2W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPA50R380CEXKSA2 nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29.2W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29.2W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.2W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA50R380CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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