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IPA50R380CEXKSA2

IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 29.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies 27443093863186ds_ipa50r380ce202.2.pdffileid5546d4614755559a01478bafc1846063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies 27443093863186ds_ipa50r380ce202.2.pdffileid5546d4614755559a01478bafc1846063.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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95+1.87 EUR
135+1.3 EUR
200+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
57+1.5 EUR
65+1.32 EUR
85+1 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA50R380CE_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON DS_IPA50R380CE+2.2.pdf?fileId=5546d4614755559a01478bafc1846063 Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
121+1.92 EUR
160+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies DS_IPA50R380CE+2.2.pdf?fileId=5546d4614755559a01478bafc1846063 Description: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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95+1.87 EUR
135+1.3 EUR
200+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
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57+1.5 EUR
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85+1 EUR
100+0.92 EUR
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2+3.19 EUR
10+2 EUR
100+1.48 EUR
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1000+1.05 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.83 EUR
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IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R380CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
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66+3.8 EUR
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IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
Packaging: Bulk
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 29.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
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