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IPA50R950CEXKSA2

IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 25.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA50R950CE_DS_v02_03_EN-1731581.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R950CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
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IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
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Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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154+1.14 EUR
155+1.09 EUR
186+0.88 EUR
208+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.45 EUR
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IPA50R950CEXKSA2
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MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+1.44 EUR
10+1.17 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
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55+1.55 EUR
105+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IPA50R950CEXKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
197+1.18 EUR
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