IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25.7W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.
Weitere Produktangebote IPA50R950CEXKSA2 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25.7W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.7W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA50R950CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 25.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V |
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