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IPA60R080P7

IPA60R080P7 Rochester Electronics, LLC

Infineon-IPA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a15b2bd5ec3
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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Technische Details IPA60R080P7 Rochester Electronics, LLC

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: THT, Power dissipation: 29W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 23A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220FP.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA60R080P7 IPA60R080P7 Infineon Technologies Infineon_IPA60R080P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPA60R080P7 IPA60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
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IPA60R080P7 Infineon_IPA60R080P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA60R080P7
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPA60R080P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
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