IPA60R125C6XKSA1
Produktcode: 178080
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA60R125C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6 |
Produkt ist nicht verfügbar |