Technische Details IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA60R125CFD7XKSA1 nach Preis ab 3.33 EUR bis 9.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA60R125CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R125CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
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|---|---|
| 3+ | 9.45 EUR |
| 50+ | 4.88 EUR |
| 100+ | 4.44 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| IPA60R125CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.87 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 3.92 EUR |
| 1000+ | 3.62 EUR |
| 2500+ | 3.52 EUR |
| 5000+ | 3.33 EUR |
| IPA60R125CFD7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)