IPA60R180P7S Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.12 EUR |
| 60+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 250+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
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Technische Details IPA60R180P7S Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; Idm: 53A; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 53A, Case: TO220FP, On-state resistance: 0.18Ω, Gate charge: 25nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPA60R180P7S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R180P7S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; Idm: 53A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 53A Case: TO220FP On-state resistance: 0.18Ω Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R180P7S |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; Idm: 53A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 53A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.18Ω
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; Idm: 53A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 53A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.18Ω
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
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