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IPA60R180P7SXKSA1

Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
Produktcode: 179007
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.68 EUR
106+1.64 EUR
114+1.49 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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105+1.68 EUR
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114+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.3 EUR
59+1.46 EUR
67+1.29 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.71 EUR
106+1.64 EUR
108+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.86 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.36 EUR
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-312
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
50+2.38 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.45 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON 2718752.pdf Description: INFINEON - IPA60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
82+2.86 EUR
104+2.07 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.68 EUR
106+1.64 EUR
114+1.49 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.68 EUR
106+1.61 EUR
114+1.44 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
372+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7S.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+2.3 EUR
59+1.46 EUR
67+1.29 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 infineon-ipa60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+3.71 EUR
106+1.64 EUR
108+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.86 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.36 EUR
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IPA60R180P7SXKSA1 Infineon-IPA60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d560059430feb
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-312
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+4.88 EUR
50+2.38 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.45 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPA60R180P7SXKSA1 2718752.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 737 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
43+5.93 EUR
82+2.86 EUR
104+2.07 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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