Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPA60R190C6

IPA60R190C6

INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 170681
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPA60R190C6 nach Preis ab 2.01 EUR bis 8.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPA60R190C6 IPA60R190C6 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.44 EUR
10+3.54 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190C6 IPA60R190C6 Hersteller : Infineon info-tipa60r190c6.pdf N-MOSFET 20,2A 650V 151W 0.19Ω IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6 TIPA60r190c6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+8.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R190C6 IPA60R190C6 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0004583470-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH