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IPA60R190E6

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPA60R190E6 IPA60R190E6 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA60R190E6_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
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IPA60R190E6 IPA60R190E6 Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
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