IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 34W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm.
Weitere Produktangebote IPA60R199CPXKSA1 nach Preis ab 2.32 EUR bis 10.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
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IPA60R199CPXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPA60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.5 EUR |
| 47+ | 3.77 EUR |
| 54+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.52 EUR |
| 47+ | 3.7 EUR |
| 54+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.63 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.51 EUR |
| 10+ | 5.6 EUR |
| 50+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 3.96 EUR |
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.02 EUR |
| 48+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPA60R199CPXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
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