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IPA60R1K5CEXKSA1

IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPA60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8c69e87218
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
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Technische Details IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA60R1K5CEXKSA1 IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies 3689infineon-ipa60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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