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IPA60R280P6XKSA1

IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 32W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 41 Stücke:
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26+2.79 EUR
28+2.6 EUR
37+1.94 EUR
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IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R280P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
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10+2.02 EUR
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IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON INFNS28761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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auf Bestellung 500 Stücke:
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 41 Stücke:
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28+2.6 EUR
37+1.94 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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10+2.02 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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