IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 373+ | 1.16 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPA60R280P7SXKSA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
P7 Power Transistor |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 24W; TO220FP; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 214mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Electrical mounting: SMT |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IPA60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
Produkt ist nicht verfügbar |