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IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 22W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
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IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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2500+1.01 EUR
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IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON 2718755.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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54+4.7 EUR
85+2.76 EUR
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IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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AnzahlPrivatkunde
121+1.43 EUR
122+1.36 EUR
136+1.18 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
auf Bestellung 53 Stücke:
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42+2.05 EUR
53+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 464 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2 EUR
100+1.56 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
2500+1.01 EUR
5000+1 EUR
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IPA60R360P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.7 EUR
85+2.76 EUR
129+1.67 EUR
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1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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