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IPA60R380E6XKSA1

IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPA60R380E6XKSA1 IPA60R380E6XKSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
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Vgs (Max): ±20V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
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