Technische Details IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPA65R190C7XKSA1 nach Preis ab 1.97 EUR bis 5.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA65R190C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 2.18 EUR |
| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 13500 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 2.61 EUR |
| 7000+ | 2.36 EUR |
| 10500+ | 2.16 EUR |
| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 195+ | 2.81 EUR |
| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.42 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| 2500+ | 1.97 EUR |
| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.68 EUR |
| 50+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| IPA65R190C7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)