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IPA65R190CFDXKSA2

IPA65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies

Infineon_IPX65R190CFD_DS_v02_07_en-1485079.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
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Technische Details IPA65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote IPA65R190CFDXKSA2 nach Preis ab 2.88 EUR bis 6.00 EUR

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IPA65R190CFDXKSA2 IPA65R190CFDXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPX65R190CFD__2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
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IPA65R190CFDXKSA2 IPA65R190CFDXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 3956ds_ipx65r190cfd_2_7.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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