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IPA65R400CEXKSA1

IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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Technische Details IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 105 Stücke:
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IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 INFINEON Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
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IPA65R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
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IPA65R400CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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IPA65R400CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
48+1.52 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
89+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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