IPA65R600E6 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPA65R600E6 Infineon Technologies
Description: IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V.
Weitere Produktangebote IPA65R600E6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R600E6 | Infineon technologies |
|
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA65R600E6 |
![]() |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)


