IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA70R360P7SXKSA1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.94 EUR
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 26.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of package: tube Pulsed drain current: 34A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 26.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of package: tube Pulsed drain current: 34A |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA70R360P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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