IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V.
Weitere Produktangebote IPA80R1K2P7XKSA1 nach Preis ab 0.91 EUR bis 3.17 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA80R1K2P7XKSA1 - IPA80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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IPA80R1K2P7XKSA1 Produktcode: 185127
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
800V CoolMOS P7 Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |