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IPA80R1K2P7XKSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 18671 Stücke:
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409+1.62 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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7+3.25 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon TIPA80r1k2p7_0001.pdf N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA80R1K2P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+2.83 EUR
100+2.43 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.55 EUR
5000+1.52 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299891-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA80R1K2P7XKSA1 - IPA80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPA80R1K2P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R1K2P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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1000+1.3 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R1K2P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
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Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 361 Stücke:
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2+3.31 EUR
10+2.83 EUR
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5000+1.52 EUR
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IPA80R1K2P7XKSA1 INFN-S-A0001299891-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA80R1K2P7XKSA1
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA80R1K2P7XKSA1 - IPA80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.22 EUR
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