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IPA80R1K2P7XKSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
auf Bestellung 12 Stücke:
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Hersteller : Infineon TIPA80r1k2p7_0001.pdf N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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10+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA80R1K2P7_DataSheet_v02_02_EN-3362574.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+2.43 EUR
25+1.43 EUR
100+1.28 EUR
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Produktcode: 203671
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auf Bestellung 71 St.:
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