IPA80R1K4P7 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 250+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
88 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPA80R1K4P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4A, Power dissipation: 24W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 10nC.
Weitere Produktangebote IPA80R1K4P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 468 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA80R1K4P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 24W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPA80R1K4P7 |
|
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IPA80R1K4P7 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)