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IPA80R450P7XKSA1

IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 29W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 205 Stücke:
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 29W
Gate charge: 24nC
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17+5 EUR
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002786284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 31 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
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Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 29W
Gate charge: 24nC
auf Bestellung 17 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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10+3.56 EUR
100+2.45 EUR
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1000+1.83 EUR
2500+1.78 EUR
5000+1.73 EUR
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IPA80R450P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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