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IPA80R450P7XKSA1

IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
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Kind of channel: enhancement
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Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Vgs (Max): ±20V
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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