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IPA80R460CEXKSA2

IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies

312infineon-ipa80r460ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA80R460CEXKSA2 IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies 312infineon-ipa80r460ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R460CEXKSA2 IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA80R460CE_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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10+3.77 EUR
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2500+2.12 EUR
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IPA80R460CEXKSA2 IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA80R460CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c79199ef1e55 Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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IPA80R460CEXKSA2 IPA80R460CEXKSA2 INFINEON 2577561.pdf Description: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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Description: INFINEON - IPA80R460CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.8 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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