IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPA80R650CEXKSA2 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.91 EUR
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Preis | ||||||||||||
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: TO-220-3F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA80R650CEXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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