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IPA80R650CEXKSA2

IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies

766dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies 766dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies 766dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA80R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7919f011e57 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA80R650CE_DS_v02_01_EN-3362548.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001300674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 55 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPA80R650CEXKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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MOSFETs CONSUMER
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R650CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
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