Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R1K2C3XKSA2

IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies


Infineon_IPA90R1K2C3_DS_v01_00_en-1622391.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.97 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.34 EUR
5000+ 1.3 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPA90R1K2C3XKSA2 nach Preis ab 2.82 EUR bis 3.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPA90R1K2C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3c4d240098 Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+3.91 EUR
10+ 3.51 EUR
100+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 Hersteller : INFINEON 83077.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA90R1K2C3XKSA2 Hersteller : Infineon Technologies ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf Power Mosfet
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA90R1K2C3XKSA2 Hersteller : Infineon Technologies ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar