IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPA90R500C3XKSA2 nach Preis ab 2.08 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V |
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| IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 900V; 11A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
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| IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power Mosfet |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPA90R500C3XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |


