IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 5.12 EUR |
| 50+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
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Technische Details IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8.7 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA95R310PFD7XKSA1 nach Preis ab 1.78 EUR bis 5.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPA95R310PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
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IPA95R310PFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8.7 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA95R310PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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