IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 3.98 EUR |
| 50+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.77 EUR |
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Technische Details IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R450PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7.2 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPA95R450PFD7XKSA1 nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IPA95R450PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA95R450PFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R450PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7.2 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA95R450PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPA95R450PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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