Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN60R180P7SXKSA1
IPAN60R180P7SXKSA1

IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Weitere Produktangebote IPAN60R180P7SXKSA1 nach Preis ab 1.3 EUR bis 5.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
101+1.7 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
93+1.81 EUR
101+1.62 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
84+2 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
85+2.76 EUR
103+2.08 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+1.87 EUR
101+1.7 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.09 EUR
93+1.81 EUR
101+1.62 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.83 EUR
84+2 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
85+2.76 EUR
103+2.08 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH