IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPAN60R180P7SXKSA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.70 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A Tube |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IPAN60R180P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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