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IPAN60R180P7SXKSA1

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Produktcode: 222916
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 492 Stücke:
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93+1.86 EUR
101+1.69 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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56+3.09 EUR
92+1.81 EUR
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500+1.3 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 459 Stücke:
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46+3.81 EUR
84+2.02 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 459 Stücke:
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45+3.83 EUR
84+2 EUR
100+1.75 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.55 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
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5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
50+2.48 EUR
100+2.23 EUR
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IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
57+4.08 EUR
100+2.57 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IPAN60R180P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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AnzahlPrivatkunde
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92+1.81 EUR
100+1.61 EUR
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Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 669 Stücke:
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