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IPAN60R280P7SXKSA1

IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipan60r280p7s-ds-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPAN60R280P7SXKSA1 IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r280p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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2+2.81 EUR
10+2.32 EUR
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IPAN60R280P7SXKSA1 IPAN60R280P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b45d6104488a Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPAN60R280P7SXKSA1 IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b45d6104488a Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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6+3.75 EUR
50+1.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
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IPAN60R280P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPAN60R280P7SXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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