IPAN60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 488+ | 1.36 EUR |
| 543+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPAN60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 22W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Weitere Produktangebote IPAN60R360P7SXKSA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 38500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 22W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 38500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 488+ | 1.36 EUR |
| 543+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 10000+ | 0.94 EUR |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 488+ | 1.36 EUR |
| 543+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 10000+ | 0.94 EUR |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 1.42 EUR |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.28 EUR |
| 10+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 2500+ | 0.87 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)