IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
| Anzahl | Privatkunde |
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| 175+ | 1.01 EUR |
| 176+ | 0.99 EUR |
| 200+ | 0.96 EUR |
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Technische Details IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPAN60R360PFD7SXKSA1 nach Preis ab 1.04 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
auf Bestellung 4265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
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auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 556+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 556+ | 1.19 EUR |
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| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
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auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.55 EUR |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
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auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.55 EUR |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.19 EUR |
| 50+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2500+ | 1.07 EUR |
| 5000+ | 1.04 EUR |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)