Weitere Produktangebote IPAW60R280P7SXKSA1 nach Preis ab 1.4 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAW60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IPAW60R280P7SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |