Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB016N08NF2SATMA1
IPB016N08NF2SATMA1

IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+2.98 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.56 EUR
10000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Weitere Produktangebote IPB016N08NF2SATMA1 nach Preis ab 2.56 EUR bis 11.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.07 EUR
1600+3.83 EUR
2400+3.62 EUR
4000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB016N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.38 EUR
100+4.08 EUR
800+3.52 EUR
2400+3.44 EUR
4800+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.46 EUR
30+5.75 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.48 EUR
30+5.88 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.14 EUR
10+6.75 EUR
50+5.28 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+2.98 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.07 EUR
1600+3.83 EUR
2400+3.62 EUR
4000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon_IPB016N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.35 EUR
10+5.38 EUR
100+4.08 EUR
800+3.52 EUR
2400+3.44 EUR
4800+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.46 EUR
30+5.75 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 infineonipb016n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.48 EUR
30+5.88 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.14 EUR
10+6.75 EUR
50+5.28 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.59 EUR
33+7.18 EUR
100+4.71 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH