IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IPB018N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 800+ 1.44 EUR Mindestbestellmenge: 800 kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 800+ 1.45 EUR Mindestbestellmenge: 800 kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 50+ 3.13 EUR 61+  2.39 EUR 100+  1.87 EUR 250+  1.66 EUR 500+  1.11 EUR Mindestbestellmenge: 50 kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 50+ 3.13 EUR 61+  2.39 EUR 100+  1.87 EUR 250+  1.66 EUR 500+  1.11 EUR Mindestbestellmenge: 50 kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 3.36 EUR 10+  2.8 EUR 100+  2.22 EUR 250+  2.04 EUR 500+  1.87 EUR 800+  1.59 EUR 2400+  1.51 EUR kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V	auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 5+ 3.75 EUR 10+  3.37 EUR 100+  2.7 EUR Mindestbestellmenge: 5 kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPB018N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen