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IPB019N08N3GATMA1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.7 EUR
2000+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB019N08N3-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+6.01 EUR
100+5.34 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.05 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.91 EUR
21+8.26 EUR
50+6.16 EUR
200+5.64 EUR
500+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
26+8.96 EUR
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 5531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.77 EUR
10+8.08 EUR
100+6.09 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.84 EUR
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IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.7 EUR
2000+5.32 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1+7.27 EUR
10+6.01 EUR
100+5.34 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.05 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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18+9.91 EUR
21+8.26 EUR
50+6.16 EUR
200+5.64 EUR
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IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 465 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+11.47 EUR
26+8.96 EUR
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 5531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+11.77 EUR
10+8.08 EUR
100+6.09 EUR
500+5.93 EUR
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