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IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
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18+10.06 EUR
25+6.95 EUR
50+5.46 EUR
100+4.91 EUR
500+4.3 EUR
1000+3.83 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB019N08N3_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.33 EUR
10+7.58 EUR
50+5.97 EUR
100+5.45 EUR
500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
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17+15.07 EUR
25+9.42 EUR
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500+5.2 EUR
1000+4.99 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IPB019N08N3GATMA1
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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1000+4.09 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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1000+4.15 EUR
3000+3.84 EUR
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IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+4.25 EUR
3000+4.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 335000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.68 EUR
168000+4.24 EUR
252000+3.87 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1780 Stücke:
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30+5.81 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 ipb019n08n3_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431add1d95011ae87fdf9.pdf
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21+8.26 EUR
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auf Bestellung 1223 Stücke:
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18+10.04 EUR
25+6.78 EUR
50+5.26 EUR
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500+3.95 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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AnzahlPrivatkunde
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10+7.46 EUR
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IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
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2+11.33 EUR
10+7.58 EUR
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IPB019N08N3GATMA1 INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
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