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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB-032SIMounting Fixings
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.81 EUR
100+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-0420SIMounting Fixings
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.96 EUR
100+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.62 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-0428SIMounting Fixings
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-0518SIMounting Fixings
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.06 EUR
100+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-0524SIMounting Fixings
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-256SIMounting Fixings
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.5 EUR
100+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-5-10A-M2ATTE POWERCategory: Industrial Networks
Description: Switch PoE Ethernet; Number of ports: 6; plastic; IP56; W: 140mm
IP rating: IP56
Type of CCTV accessories: switch PoE Ethernet
Supply voltage: 190...260V AC
Data transfer rate: 10Mbps; 100Mbps
Operating temperature: -25...50°C
Enclosure material: plastic
Length: 70mm
Application: CCTV; in housing
Width: 140mm
Connection: RJ45 - PoE x5; RJ45 Uplink socket x1
Number of ports: 6
Height: 190mm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+142.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-5-10A-OFATTE POWERCategory: Industrial Networks
Description: Switch PoE Ethernet; Number of ports: 6; 10Mbps,100Mbps; W: 95mm
Connection: RJ45 - PoE x5; RJ45 Uplink socket x1
Supply voltage: 190...260V AC
Data transfer rate: 10Mbps; 100Mbps
Operating temperature: -25...50°C
Length: 131mm
Application: CCTV; for built-in
Width: 95mm
Number of ports: 6
Height: 28mm
Type of CCTV accessories: switch PoE Ethernet
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+92.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-5-10A-S4ATTE POWERCategory: Industrial Networks
Description: Switch PoE Ethernet; Number of ports: 6; plastic; IP55; W: 110mm
IP rating: IP55
Type of CCTV accessories: switch PoE Ethernet
Supply voltage: 190...260V AC
Data transfer rate: 10Mbps; 100Mbps
Operating temperature: -25...50°C
Enclosure material: plastic
Length: 70mm
Application: CCTV; in housing
Width: 0.11m
Connection: RJ45 - PoE x5; RJ45 Uplink socket x1
Number of ports: 6
Height: 160mm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+116.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-M3SIMounting Fixings
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB-M5SIMounting Fixings
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.81 EUR
100+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03L G
Produktcode: 132260
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+7.52 EUR
100+6.15 EUR
500+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB009N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NInfineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.27 EUR
10+9.56 EUR
100+7.66 EUR
500+6.83 EUR
1000+6.12 EUR
2000+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.62 EUR
103+6.21 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.74 EUR
3000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.79 EUR
27+8.87 EUR
50+7.07 EUR
200+5.94 EUR
500+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.58 EUR
23+7.25 EUR
50+6.85 EUR
100+4.96 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.62 EUR
103+6.21 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.19 EUR
100+4.96 EUR
250+4.74 EUR
500+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
23+7.43 EUR
100+5.37 EUR
500+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+9.26 EUR
100+6.76 EUR
500+6.47 EUR
1000+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 17777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
10+9.97 EUR
50+7.93 EUR
100+7.26 EUR
500+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.6 EUR
23+7.43 EUR
50+7.13 EUR
100+5.25 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.07 EUR
200+5.94 EUR
500+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.39 EUR
100+5.24 EUR
250+5.13 EUR
500+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB010N06NATMA1 TIPB010n06n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+20.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
23+7.21 EUR
100+5.14 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+4.52 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.53 EUR
2000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.02 EUR
10000+2.74 EUR
15000+2.5 EUR
20000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.12 EUR
66+2.53 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.56 EUR
50+3.51 EUR
100+3.18 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.69 EUR
50+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB011N04LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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10+3.75 EUR
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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37+4.72 EUR
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IPB011N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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31+5.55 EUR
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500+2.99 EUR
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31+5.57 EUR
50+5.34 EUR
500+5.18 EUR
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IPB011N04N
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IPB011N04N (Transistoren)
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IPB011N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.89 EUR
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IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 783 Stücke:
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67+2.59 EUR
70+2.4 EUR
71+2.27 EUR
100+2.09 EUR
250+1.99 EUR
500+1.76 EUR
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IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
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1+8.46 EUR
10+4.71 EUR
100+3.64 EUR
500+3.12 EUR
800+3.01 EUR
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IPB011N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB011N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.34 EUR
41+5.69 EUR
100+3.92 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IPB011N04NGInfineon technologies
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.63 EUR
2000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.35 EUR
34+5.13 EUR
50+4.21 EUR
100+3.89 EUR
200+3.81 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.64 EUR
2000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
91+1.76 EUR
100+1.59 EUR
250+1.5 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.26 EUR
800+2.24 EUR
2400+2.14 EUR
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IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.53 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.24 EUR
100+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
91+1.83 EUR
100+1.69 EUR
250+1.62 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPB012N04NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 197A; 250W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.25mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 197A
Power dissipation: 250W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB012N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB012N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
45+5.2 EUR
100+3.53 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 203nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 198A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.79 EUR
24+6.96 EUR
50+5.27 EUR
100+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.91 EUR
33+5.26 EUR
50+5 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.2 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
10+7.47 EUR
50+5.89 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
48+3.47 EUR
100+3.33 EUR
250+3.24 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.56 EUR
2400+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+5.49 EUR
100+4.61 EUR
500+4.57 EUR
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IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
48+3.34 EUR
100+3.17 EUR
250+2.99 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
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