IPB042N10N3 G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.8 EUR |
| 67+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 250+ | 2.38 EUR |
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Technische Details IPB042N10N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 214W, Case: D2PAK-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 400A, Gate charge: 88nC, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPB042N10N3 G nach Preis ab 2.18 EUR bis 6.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB042N10N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 5806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB042N10N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 214W Case: D2PAK-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Gate charge: 88nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 53 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB042N10N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 4.02 EUR |
| 50+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 250+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| IPB042N10N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.56 EUR |
| 10+ | 4.27 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| IPB042N10N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 88nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 400A; 214W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 88nC
Application: automotive industry
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