IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
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Technische Details IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm.
Weitere Produktangebote IPB023N03LF2SATMA1 nach Preis ab 1.26 EUR bis 6.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPB023N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IPB023N03LF2SATMA1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
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IPB023N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm |
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| IPB023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| IPB023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.32 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 800+ | 1.62 EUR |
| 2400+ | 1.26 EUR |
| IPB023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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|---|---|
| 4+ | 5.62 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| IPB023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
Description: INFINEON - IPB023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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|---|---|
| 39+ | 6.57 EUR |
| 59+ | 3.96 EUR |
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