IPB034N06N3GATMA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
N-channel MOSFET

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Technische Details IPB034N06N3GATMA2 Infineon Technologies

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	IPB034N06N3GATMA2	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPB034N06N3GATMA2	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen